科技競爭，是如今世界舞臺上暗中較勁最厲害的一項競爭，我國在芯片方面的使用量，在全球范圍內都非常大的。

　　可從前我們只能靠著從外國進口，美國因此妄想抓住我國的科技瓶頸。

　　而近幾年，國家已經開始加大力度發展創新半導體科技，加速打破科技壁壘，掌握其核心科技。我們得到的回報自然是豐厚的。

　　在2023年2月末，中國電科46所正式宣布成功突破科技瓶頸，制造出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，其中蘊含的技術已經達到國際最高水平。

　　不僅如此，近日以來，我國西安郵電大學，在8英寸硅片上研發出來高質量的氧化鎵外延片，這一成果的推出，中國“芯”終于迎來了新拐點，美國的計劃算是落了個空。

　　下面讓我們一起來看看這關于芯片的具體內容。

　　小芯片，大作用

　　小小的一個芯片，它的作用可是非常大，一個再龐大再完美精致的機器如果沒有合適的芯片那么也無法正常啟動，芯片體積雖然很小，但價值可是難以想象的巨大。

　　我國在芯片方面的需求，可以達到1400億美元每年，靠著一個個小芯片的出口，便可以得到其他貿易商品難以匹及的利潤。

　　芯片被稱為是“工業黃金”，芯片的發展進程，很大程度上決定了這個國家在科技方面的發展路程。

　　如今在綜合國力的競爭比較中，芯片也占了比賽的一大部分。

　　美國曾想要卡住我國在半導體芯片技術方面的脖子，實行了對于華為芯片的限制令，對于他國半導體限制逐漸加強。

　　面對美國的如此打壓，并沒有打消我國在芯片方面的制造熱情，甚至更加激起了我國芯片發展的雄心壯志。

　　任正非，也就是華為公司的老總曾經表示，在美國有意制裁我國華為的三年間，華為并沒有坐以待斃，而是在這期間完成了多項的電路板國產替代和13000件的科技器械研發，逐漸已經脫離了美國對我們科學技術方面的控制。

　　目前我國在經過三年前美國的大力打壓形成的“缺芯潮”后，在中低端芯片方面有著很好的發展，國產中低端芯片逐漸占領了市場。

　　但在高端芯片的領域，我國還有很大的發展空間，尤其規格在14nm以下的芯片方面，還存在許多難題需要一步步突破。

　　在2021年的國際半導體市場統計中我們可以看到，美國占據了幾乎總數的一半，而中國只占據了百分之七。我國仍然處于追趕者的位置，還有很多科技需要持續創新研發。

　　中國“芯”迎來了新拐點，迅速發展原因有哪些

　　中國對芯片之路突破了重重阻攔，沒有被美國實行的科技限制而停滯不前，最終我國芯片終于迎來了新拐點，這一消息讓美國的計劃落了空，是什么原因讓我國芯片發展如此之快呢？

　　首先，我國的芯片發展分為了四個時期，第一個時期便是首次引進時期，從1965年至1978年，這一時期我國初次建立與芯片有關的科技設備與場所。

　　第二個時期是1978年至1990年，中國的芯片發展已經取得了發展，但仍然落后于世界水平。

　　第三時期是1990年到1999年，國家開始實行“908”工程大力推進芯片制造。第四時期便是從2000年到今日，我國芯片已經開始了高速發展階段。

　　這一步步走來，第一，離不開我國大力的資金支持，在芯片發展的路上，國家為科技發展提供了充分的資金支持，為科技人才們做好了后備工作。

　　第二，近年來對于人才發展的大力鼓勵，隨著教育強國的思想深入人心，人均文化水平也在逐漸提高，國家對于科技方面人才的培養更是無比重視。

　　畢竟只有培養下一代高科技人才，才能保障國家持續不斷的快速發展。

　　最后，離不開在面對重重的壓力下科技團隊們的不懈努力，他們面對未知未來仍然保持一顆火熱的內心發展中國芯片，是這芯片發展路上的領路人。

　　中國“芯”如今已經迎來了新拐點，不再是曾經那個被美國卡著科技脖子的時期，美國計劃最后只能落空，這樣的結果離不開國家的支持與研發團隊的努力。